檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑，成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，將氮源由傳統MOCVD製程中所使用的氨氣(NH3)改為第三丁基聯胺(i-butylhydrazine, TBHy)，來與三甲基鎵(trimethyl…
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本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料，並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材，…
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本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式，以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)為原料，分別使用鍍上金觸媒的Si(111)、Ge奈米線及ZnO奈米柱為基材來沈積氮化鎵。在鍍上1 nm厚度金觸媒於Si(11…
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本論文研究主要是應用高溫爐法，以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源，於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上，則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度，來改變提供鎵源的量，同時由不同的反應氣體流量與…
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本論文研究主要在於利用水平式高溫爐化學氣相沉積法成長氮化鎵及其相關的一維奈米線材料。在氮化鎵奈米線的成長上，主要使用乙醯丙酮鎵(III)(Gallium(III) acetylacetonate)與…
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本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)作為氮源先驅物，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)，來成長氮化鎵奈米線，期望以TEGa…